Toshiba Semiconductor and Storage - RN1910FE,LF(CT

KEY Part #: K6529286

RN1910FE,LF(CT मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [1936260पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.01920
  • 4,000 pcs$0.01910
  • 8,000 pcs$0.01661
  • 12,000 pcs$0.01412
  • 28,000 pcs$0.01329
  • 100,000 pcs$0.01107

भाग संख्या:
RN1910FE,LF(CT
निर्माता:
Toshiba Semiconductor and Storage
विस्तृत विवरण:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, Thyristors - SCRs, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction and डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RN1910FE,LF(CT उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : RN1910FE,LF(CT
निर्माता : Toshiba Semiconductor and Storage
वर्णन : TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
ट्रान्जिस्टर प्रकार : 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम) : 100mA
भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम) : 50V
प्रतिरोधक - बेस (R1) : 4.7 kOhms
प्रतिरोधक - इमिटर बेस (R2) : -
DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce : 120 @ 1mA, 5V
Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी : 300mV @ 250µA, 5mA
वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम) : 100nA (ICBO)
फ्रिक्वेन्सी - संक्रमण : 250MHz
पावर - अधिकतम : 100mW
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : SOT-563, SOT-666
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : ES6

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