Vishay Semiconductor Diodes Division - MSE1PB-M3/89A

KEY Part #: K6456966

MSE1PB-M3/89A मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [1344083पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.02752
  • 4,500 pcs$0.02627
  • 9,000 pcs$0.02284
  • 13,500 pcs$0.01942
  • 31,500 pcs$0.01827
  • 112,500 pcs$0.01523

भाग संख्या:
MSE1PB-M3/89A
निर्माता:
Vishay Semiconductor Diodes Division
विस्तृत विवरण:
DIODE GEN PURP 100V 1A MICROSMP. Rectifiers 1.0 Amp 100 Volt 20 Amp IFSM
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, डायोडहरू - जेनर - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या and ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MSE1PB-M3/89A उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : MSE1PB-M3/89A
निर्माता : Vishay Semiconductor Diodes Division
वर्णन : DIODE GEN PURP 100V 1A MICROSMP
श्रृंखला : eSMP®
भाग स्थिति : Active
डायोड प्रकार : Standard
भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) : 100V
वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io) : 1A
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि : 1.1V @ 1A
गति : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
उल्टो रिकभरी समय (trr) : 780ns
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr : 1µA @ 100V
Capacitance @ Vr, F : 5pF @ 4V, 1MHz
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : MicroSMP
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : MicroSMP (DO-219AD)
अपरेटिंग टेम्परेचर - जंक्शन : -55°C ~ 175°C

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