Diodes Incorporated - DMN1019USN-13

KEY Part #: K6417283

DMN1019USN-13 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [711784पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.05196
  • 10,000 pcs$0.04617

भाग संख्या:
DMN1019USN-13
निर्माता:
Diodes Incorporated
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, Thyristors - DIACs, SIDACs, Thyristors - TRIACs, डायोडहरू - जेनर - एकल, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, डायोडहरू - आरएफ and ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN1019USN-13 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : DMN1019USN-13
निर्माता : Diodes Incorporated
वर्णन : MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 12V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 9.3A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 1.2V, 2.5V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 10 mOhm @ 9.7A, 4.5V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 800mV @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 50.6nC @ 8V
Vgs (अधिकतम) : ±8V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 2426pF @ 10V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 680mW (Ta)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : SC-59
प्याकेज / केस : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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