Vishay Semiconductor Diodes Division - VI20150C-M3/4W

KEY Part #: K6469704

VI20150C-M3/4W मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [119018पीसी स्टक]

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  • 1,000 pcs$0.28293

भाग संख्या:
VI20150C-M3/4W
निर्माता:
Vishay Semiconductor Diodes Division
विस्तृत विवरण:
DIODE SCHOTTKY 20A 150V TO-262AA.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, and ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VI20150C-M3/4W उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : VI20150C-M3/4W
निर्माता : Vishay Semiconductor Diodes Division
वर्णन : DIODE SCHOTTKY 20A 150V TO-262AA
श्रृंखला : Automotive, AEC-Q101, TMBS®
भाग स्थिति : Active
डायोड कन्फिगरेसन : 1 Pair Common Cathode
डायोड प्रकार : Schottky
भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) : 150V
वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड) : 10A
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि : 1.2V @ 10A
गति : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
उल्टो रिकभरी समय (trr) : -
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr : 150µA @ 150V
अपरेटिंग टेम्परेचर - जंक्शन : -55°C ~ 150°C
माउन्टिंग प्रकार : Through Hole
प्याकेज / केस : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : TO-262AA

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