भाग संख्या :
SUP90P06-09L-E3
निर्माता :
Vishay Siliconix
वर्णन :
MOSFET P-CH 60V 90A TO220AB
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
60V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
90A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
4.5V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
9.3 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
3V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
240nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
9200pF @ 25V
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
2.4W (Ta), 250W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
TO-220AB