Microchip Technology - TN2130K1-G

KEY Part #: K6392685

TN2130K1-G मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [189161पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.20033
  • 3,000 pcs$0.19933

भाग संख्या:
TN2130K1-G
निर्माता:
Microchip Technology
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 300V 0.085A SOT23-3.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, Thyristors - TRIACs, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प and ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TN2130K1-G उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : TN2130K1-G
निर्माता : Microchip Technology
वर्णन : MOSFET N-CH 300V 0.085A SOT23-3
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 300V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 85mA (Tj)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 4.5V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 25 Ohm @ 120mA, 4.5V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 2.4V @ 1mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : -
Vgs (अधिकतम) : ±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 50pF @ 25V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 360mW (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : TO-236AB (SOT23)
प्याकेज / केस : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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