भाग संख्या :
GB01SLT12-220
निर्माता :
GeneSiC Semiconductor
वर्णन :
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 1A TO220AC
डायोड प्रकार :
Silicon Carbide Schottky
भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) :
1200V
वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io) :
1A
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि :
1.8V @ 1A
गति :
No Recovery Time > 500mA (Io)
उल्टो रिकभरी समय (trr) :
0ns
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr :
2µA @ 1200V
Capacitance @ Vr, F :
69pF @ 1V, 1MHz
माउन्टिंग प्रकार :
Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
TO-220AC
अपरेटिंग टेम्परेचर - जंक्शन :
-55°C ~ 175°C