ON Semiconductor - SS0503EC-TR-H

KEY Part #: K6445570

[2063पीसी स्टक]


    भाग संख्या:
    SS0503EC-TR-H
    निर्माता:
    ON Semiconductor
    विस्तृत विवरण:
    DIODE SCHOTTKY 30V 500MA 2ECSP.
    Manufacturer's standard lead time:
    स्टक मा
    आफ्नो जीवन:
    एक वर्ष
    बाट चिप:
    हंगकंग
    RoHS:
    भुक्तानी विधि:
    ढुवानी मार्ग:
    परिवार कोटिहरू:
    KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल and डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू ...
    प्रतिस्पर्धी लाभ:
    We specialize in ON Semiconductor SS0503EC-TR-H electronic components. SS0503EC-TR-H can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SS0503EC-TR-H, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SS0503EC-TR-H उत्पाद गुणहरू

    भाग संख्या : SS0503EC-TR-H
    निर्माता : ON Semiconductor
    वर्णन : DIODE SCHOTTKY 30V 500MA 2ECSP
    श्रृंखला : -
    भाग स्थिति : Obsolete
    डायोड प्रकार : Schottky
    भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) : 30V
    वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io) : 500mA
    भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि : 560mV @ 500mA
    गति : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    उल्टो रिकभरी समय (trr) : 10ns
    वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr : 100µA @ 15V
    Capacitance @ Vr, F : 6pF @ 10V, 1MHz
    माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
    प्याकेज / केस : 2-UDFN
    आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : 2-ECSP1008
    अपरेटिंग टेम्परेचर - जंक्शन : -55°C ~ 125°C

    तपाईलाई पनि चासो लाग्न सक्छ
    • C2D05120E

      Cree/Wolfspeed

      DIODE SCHOTTKY 1.2KV 17.5A TO252.

    • BAT54WH6327XTSA1

      Infineon Technologies

      DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT323.

    • IDB23E60ATMA1

      Infineon Technologies

      DIODE GEN PURP 600V 41A TO263-3.

    • IDB12E120ATMA1

      Infineon Technologies

      DIODE GEN PURP 1.2KV 28A TO263-3.

    • IDB45E60ATMA1

      Infineon Technologies

      DIODE GEN PURP 600V 71A TO263-3.

    • IDB15E60

      Infineon Technologies

      DIODE GEN PURP 600V 29.2A TO263. Diodes - General Purpose, Power, Switching Fast Switching 600V EmCon Diode