GigaDevice Semiconductor (HK) Limited - GD5F2GQ4UEYIGY

KEY Part #: K939739

GD5F2GQ4UEYIGY मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [26441पीसी स्टक]

  • 1 pcs$1.73305

भाग संख्या:
GD5F2GQ4UEYIGY
निर्माता:
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
विस्तृत विवरण:
SPI NAND FLASH.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: घडी / समय - आईसी ब्याट्री, तर्क - प्याराटी जेनरेटर र चेकर्स, PMIC - ब्याट्री चार्जर, इन्टरफेस - मोड्युलहरू, डाटा अधिग्रहण - डिजिटल Potentiometers, घडी / समय - अनुप्रयोग विशिष्ट, ईन्टरफेस - विशेषज्ञता प्राप्त and तर्क - विशेषता तर्क ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GD5F2GQ4UEYIGY उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : GD5F2GQ4UEYIGY
निर्माता : GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
वर्णन : SPI NAND FLASH
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
मेमोरी प्रकार : Non-Volatile
मेमोरी ढाँचा : FLASH
टेक्नोलोजी : FLASH - NAND
मेमोरी साइज : 2Gb (256M x 8)
घडी फ्रिक्वेन्सी : 120MHz
साइकल समय लेख्नुहोस् - शब्द, पृष्ठ : 700µs
पहुँच समय : -
मेमोरी ईन्टरफेस : SPI - Quad I/O
भोल्टेज - आपूर्ति : 2.7V ~ 3.6V
अपरेटिंग तापमान : -40°C ~ 85°C (TA)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : 8-WDFN Exposed Pad
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : 8-WSON (6x8)
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  • N01S830BAT22I

    ON Semiconductor

    IC SRAM 1M SPI 20MHZ 8TSSOP. SRAM 1MB, 3V, BATT BU FUNCT

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