[13610पीसी स्टक]
- भाग संख्या:
- IRFIB8N50KPBF
- निर्माता:
- Vishay Siliconix
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET N-CH 500V 6.7A TO220FP.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: Thyristors - SCRs, डायोडहरू - आरएफ, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, डायोडहरू - जेनर - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू and Thyristors - TRIACs ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Vishay Siliconix IRFIB8N50KPBF electronic components. IRFIB8N50KPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFIB8N50KPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRFIB8N50KPBF उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
IRFIB8N50KPBF
निर्माता :
Vishay Siliconix
वर्णन :
MOSFET N-CH 500V 6.7A TO220FP
श्रृंखला :
-
भाग स्थिति :
Obsolete
FET प्रकार :
N-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
500V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
6.7A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
350 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
5V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
89nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) :
±30V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
2160pF @ 25V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
45W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
TO-220-3
प्याकेज / केस :
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
ताजा समाचारहरू
तपाईलाई पनि चासो लाग्न सक्छ
तातो पार्ट्स
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