Infineon Technologies - IPW60R099C7XKSA1

KEY Part #: K6416304

IPW60R099C7XKSA1 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [13284पीसी स्टक]

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  • 10 pcs$2.66447
  • 100 pcs$2.18503
  • 500 pcs$1.76933
  • 1,000 pcs$1.49221

भाग संख्या:
IPW60R099C7XKSA1
निर्माता:
Infineon Technologies
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 600V 22A TO247-3.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs and ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPW60R099C7XKSA1 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : IPW60R099C7XKSA1
निर्माता : Infineon Technologies
वर्णन : MOSFET N-CH 600V 22A TO247-3
श्रृंखला : CoolMOS™ C7
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 600V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 14A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 99 mOhm @ 9.7A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 4V @ 490µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 42nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 1819pF @ 400V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 110W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : PG-TO247-3
प्याकेज / केस : TO-247-3

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