भाग संख्या :
SPD04N60C3ATMA1
निर्माता :
Infineon Technologies
वर्णन :
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO252-3
भाग स्थिति :
Not For New Designs
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
600V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
4.5A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
950 mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
3.9V @ 200µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
25nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
490pF @ 25V
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
50W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
PG-TO252-3
प्याकेज / केस :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63