Diodes Incorporated - DMT2004UFDF-7

KEY Part #: K6416635

DMT2004UFDF-7 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [350660पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.10548
  • 3,000 pcs$0.09441

भाग संख्या:
DMT2004UFDF-7
निर्माता:
Diodes Incorporated
विस्तृत विवरण:
MOSFET NCH 24V 14.1A UDFN2020.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, डायोडहरू - आरएफ and डायोडहरू - जेनर - एर्रे ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMT2004UFDF-7 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : DMT2004UFDF-7
निर्माता : Diodes Incorporated
वर्णन : MOSFET NCH 24V 14.1A UDFN2020
श्रृंखला : Automotive, AEC-Q101
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 24V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 14.1A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 2.5V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 6 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 1.45V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 53.7nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±12V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 1683pF @ 15V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 800mW (Ta), 12.5W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : U-DFN2020-6 (Type F)
प्याकेज / केस : 6-UDFN Exposed Pad

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