Infineon Technologies - IRFHS9351TRPBF

KEY Part #: K6525422

IRFHS9351TRPBF मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [327926पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.11279
  • 4,000 pcs$0.10825

भाग संख्या:
IRFHS9351TRPBF
निर्माता:
Infineon Technologies
विस्तृत विवरण:
MOSFET 2P-CH 30V 2.3A PQFN.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: Thyristors - DIACs, SIDACs, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, डायोडहरू - जेनर - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प and डायोडहरू - जेनर - एर्रे ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFHS9351TRPBF उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : IRFHS9351TRPBF
निर्माता : Infineon Technologies
वर्णन : MOSFET 2P-CH 30V 2.3A PQFN
श्रृंखला : HEXFET®
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : 2 P-Channel (Dual)
FET फिचर : Logic Level Gate
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 30V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 2.3A
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 170 mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 2.4V @ 10µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 3.7nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 160pF @ 25V
पावर - अधिकतम : 1.4W
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : 6-VQFN Exposed Pad
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : 6-PQFN (2x2)

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