Vishay Semiconductor Diodes Division - UH10JT-E3/4W

KEY Part #: K6445574

UH10JT-E3/4W मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [2061पीसी स्टक]

  • 1,000 pcs$0.27408

भाग संख्या:
UH10JT-E3/4W
निर्माता:
Vishay Semiconductor Diodes Division
विस्तृत विवरण:
DIODE GEN PURP 600V 10A TO220AC.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - जेनर - एर्रे, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, Thyristors - DIACs, SIDACs, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल and डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

UH10JT-E3/4W उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : UH10JT-E3/4W
निर्माता : Vishay Semiconductor Diodes Division
वर्णन : DIODE GEN PURP 600V 10A TO220AC
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Obsolete
डायोड प्रकार : Standard
भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) : 600V
वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io) : 10A
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि : -
गति : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
उल्टो रिकभरी समय (trr) : 25ns
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr : -
Capacitance @ Vr, F : -
माउन्टिंग प्रकार : Through Hole
प्याकेज / केस : TO-220-2
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : TO-220AC
अपरेटिंग टेम्परेचर - जंक्शन : -55°C ~ 175°C

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