Vishay Siliconix - SI5449DC-T1-GE3

KEY Part #: K6406071

[1446पीसी स्टक]


    भाग संख्या:
    SI5449DC-T1-GE3
    निर्माता:
    Vishay Siliconix
    विस्तृत विवरण:
    MOSFET P-CH 30V 3.1A 1206-8.
    Manufacturer's standard lead time:
    स्टक मा
    आफ्नो जीवन:
    एक वर्ष
    बाट चिप:
    हंगकंग
    RoHS:
    भुक्तानी विधि:
    ढुवानी मार्ग:
    परिवार कोटिहरू:
    KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - आरएफ, Thyristors - DIACs, SIDACs, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, Thyristors - TRIACs and ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल ...
    प्रतिस्पर्धी लाभ:
    We specialize in Vishay Siliconix SI5449DC-T1-GE3 electronic components. SI5449DC-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI5449DC-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI5449DC-T1-GE3 उत्पाद गुणहरू

    भाग संख्या : SI5449DC-T1-GE3
    निर्माता : Vishay Siliconix
    वर्णन : MOSFET P-CH 30V 3.1A 1206-8
    श्रृंखला : TrenchFET®
    भाग स्थिति : Obsolete
    FET प्रकार : P-Channel
    टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
    स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 30V
    हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 3.1A (Ta)
    ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 2.5V, 4.5V
    Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 85 mOhm @ 3.1A, 4.5V
    Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 600mV @ 250µA (Min)
    गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 11nC @ 4.5V
    Vgs (अधिकतम) : ±12V
    इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : -
    FET फिचर : -
    पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 1.3W (Ta)
    अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
    माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
    आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : 1206-8 ChipFET™
    प्याकेज / केस : 8-SMD, Flat Lead

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