भाग संख्या :
TSM033NB04LCR RLG
निर्माता :
Taiwan Semiconductor Corporation
वर्णन :
MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
40V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
21A (Ta), 121A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
4.5V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
3.3 mOhm @ 21A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
2.5V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
79nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
4456pF @ 20V
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
3.1W (Ta), 107W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
8-PDFN (5x6)
प्याकेज / केस :
8-PowerTDFN