Vishay Semiconductor Diodes Division - ES1DHE3_A/I

KEY Part #: K6433141

ES1DHE3_A/I मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [808309पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.04576
  • 7,500 pcs$0.04184
  • 15,000 pcs$0.03914
  • 37,500 pcs$0.03599

भाग संख्या:
ES1DHE3_A/I
निर्माता:
Vishay Semiconductor Diodes Division
विस्तृत विवरण:
DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC. Rectifiers 1.0 Amp 200 Volt 30 Amp IFSM
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - जेनर - एकल, डायोडहरू - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल and ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ES1DHE3_A/I उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : ES1DHE3_A/I
निर्माता : Vishay Semiconductor Diodes Division
वर्णन : DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
श्रृंखला : Automotive, AEC-Q101
भाग स्थिति : Active
डायोड प्रकार : Standard
भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) : 200V
वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io) : 1A
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि : 920mV @ 1A
गति : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
उल्टो रिकभरी समय (trr) : 25ns
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr : 5µA @ 200V
Capacitance @ Vr, F : 10pF @ 4V, 1MHz
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : DO-214AC, SMA
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : DO-214AC (SMA)
अपरेटिंग टेम्परेचर - जंक्शन : -55°C ~ 150°C

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