ON Semiconductor - 2SK545-11D-TB-E

KEY Part #: K6521313

2SK545-11D-TB-E मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [613415पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.06030
  • 6,000 pcs$0.04498

भाग संख्या:
2SK545-11D-TB-E
निर्माता:
ON Semiconductor
विस्तृत विवरण:
JFET N-CH 1MA 125MW CP.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, डायोडहरू - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs and डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

2SK545-11D-TB-E उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : 2SK545-11D-TB-E
निर्माता : ON Semiconductor
वर्णन : JFET N-CH 1MA 125MW CP
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
भोल्टेज - ब्रेकडाउन (V (BR) GSS) : -
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 40V
हाल - ड्रेन (आईडीएसएस) @ वीडीएस (Vgs = ०) : 60µA @ 10V
वर्तमान ड्रेन (आईडी) - अधिकतम : 1mA
भोल्टेज - कटऑफ (VGS बन्द) @ आईडी : 1.5V @ 1µA
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 1.7pF @ 10V
प्रतिरोध - आरडीएस (अन) : -
पावर - अधिकतम : 125mW
अपरेटिंग तापमान : -
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : 3-CP

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