Vishay Siliconix - SI4368DY-T1-E3

KEY Part #: K6419002

SI4368DY-T1-E3 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [86909पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.44990
  • 2,500 pcs$0.37936

भाग संख्या:
SI4368DY-T1-E3
निर्माता:
Vishay Siliconix
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, डायोडहरू - आरएफ, Thyristors - DIACs, SIDACs, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प and Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI4368DY-T1-E3 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : SI4368DY-T1-E3
निर्माता : Vishay Siliconix
वर्णन : MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC
श्रृंखला : TrenchFET®
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 30V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 17A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 4.5V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 3.2 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 1.8V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 80nC @ 4.5V
Vgs (अधिकतम) : ±12V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 8340pF @ 15V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 1.6W (Ta)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : 8-SO
प्याकेज / केस : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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