Microchip Technology - DN2535N3-G-P003

KEY Part #: K6392789

DN2535N3-G-P003 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [162137पीसी स्टक]

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  • 2,000 pcs$0.23255

भाग संख्या:
DN2535N3-G-P003
निर्माता:
Microchip Technology
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 350V 0.12A TO92-3.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, डायोडहरू - जेनर - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, Thyristors - TRIACs and डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DN2535N3-G-P003 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : DN2535N3-G-P003
निर्माता : Microchip Technology
वर्णन : MOSFET N-CH 350V 0.12A TO92-3
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 350V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 120mA (Tj)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 0V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 25 Ohm @ 120mA, 0V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : -
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : -
Vgs (अधिकतम) : ±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 300pF @ 25V
FET फिचर : Depletion Mode
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 1W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : TO-92 (TO-226)
प्याकेज / केस : TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
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