भाग संख्या :
CMH05A(TE12L,Q,M)
निर्माता :
Toshiba Semiconductor and Storage
वर्णन :
DIODE GEN PURP 400V 1A MFLAT
भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) :
400V
वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io) :
1A
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि :
1.8V @ 1A
गति :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
उल्टो रिकभरी समय (trr) :
35ns
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr :
10µA @ 400V
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
M-FLAT (2.4x3.8)
अपरेटिंग टेम्परेचर - जंक्शन :
-40°C ~ 150°C