Vishay Semiconductor Diodes Division - BYG23M-E3/TR

KEY Part #: K6456943

BYG23M-E3/TR मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [659064पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.05612
  • 1,800 pcs$0.04747
  • 3,600 pcs$0.04351
  • 5,400 pcs$0.04087
  • 12,600 pcs$0.03824
  • 45,000 pcs$0.03516

भाग संख्या:
BYG23M-E3/TR
निर्माता:
Vishay Semiconductor Diodes Division
विस्तृत विवरण:
DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A. Rectifiers RECOMMENDED ALT 625-BYG23M-E3/TR3
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, Thyristors - SCRs, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, डायोडहरू - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य and ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BYG23M-E3/TR उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : BYG23M-E3/TR
निर्माता : Vishay Semiconductor Diodes Division
वर्णन : DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
डायोड प्रकार : Avalanche
भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) : 1000V
वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io) : 1.5A
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि : 1.7V @ 1A
गति : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
उल्टो रिकभरी समय (trr) : 75ns
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr : 5µA @ 1000V
Capacitance @ Vr, F : -
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : DO-214AC, SMA
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : DO-214AC (SMA)
अपरेटिंग टेम्परेचर - जंक्शन : -55°C ~ 150°C

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