निर्माता :
Cree/Wolfspeed
वर्णन :
MOSFET N-CH 1200V 19A TO-247
टेक्नोलोजी :
SiCFET (Silicon Carbide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
1200V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
19A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
20V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
196 mOhm @ 10A, 20V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
2.5V @ 500µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
32.6nC @ 20V
Vgs (अधिकतम) :
+25V, -10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
527pF @ 800V
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
125W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
TO-247-3