Vishay Siliconix - SI3430DV-T1-E3

KEY Part #: K6420442

SI3430DV-T1-E3 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [195156पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.18953
  • 3,000 pcs$0.16019

भाग संख्या:
SI3430DV-T1-E3
निर्माता:
Vishay Siliconix
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 100V 1.8A 6-TSOP.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, डायोडहरू - जेनर - एर्रे, डायोडहरू - आरएफ, Thyristors - SCRs and डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
We specialize in Vishay Siliconix SI3430DV-T1-E3 electronic components. SI3430DV-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI3430DV-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI3430DV-T1-E3 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : SI3430DV-T1-E3
निर्माता : Vishay Siliconix
वर्णन : MOSFET N-CH 100V 1.8A 6-TSOP
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 100V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 1.8A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 6V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 170 mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 2V @ 250µA (Min)
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 6.6nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : -
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 1.14W (Ta)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : 6-TSOP
प्याकेज / केस : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

तपाईलाई पनि चासो लाग्न सक्छ