SIHF8N50D-E3 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [50826पीसी स्टक]
- 1 pcs$0.76930
- 10 pcs$0.68150
- 100 pcs$0.53860
- 500 pcs$0.41769
- 1,000 pcs$0.31193
- भाग संख्या:
- SIHF8N50D-E3
- निर्माता:
- Vishay Siliconix
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220 FLPK.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, Thyristors - DIACs, SIDACs, डायोडहरू - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, डायोडहरू - जेनर - एर्रे, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू and ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Vishay Siliconix SIHF8N50D-E3 electronic components. SIHF8N50D-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHF8N50D-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SIHF8N50D-E3 उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
SIHF8N50D-E3
निर्माता :
Vishay Siliconix
वर्णन :
MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220 FLPK
श्रृंखला :
-
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
N-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
500V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
8.7A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
850 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
5V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
30nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) :
±30V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
527pF @ 100V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
33W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
TO-220 Full Pack
प्याकेज / केस :
TO-220-3 Full Pack
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- SPP06N60C3XKSA1
- NTD4302T4
- 2SK221100L
- IRF6648TR1
- IRF7807ZPBF
- IRL530STRL
- IRFBF20STRR
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- IRL520
- PMN23UN,165
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