भाग संख्या :
IPSA70R1K4P7SAKMA1
निर्माता :
Infineon Technologies
वर्णन :
MOSFET COOLMOS 700V TO251-3
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
700V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
4A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
1.4 Ohm @ 700mA, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
3.5V @ 40µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
4.7nC @ 400V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
158pF @ 400V
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
22.7W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-40°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
PG-TO251-3
प्याकेज / केस :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA