Infineon Technologies - FP50R07N2E4B11BOSA1

KEY Part #: K6533275

FP50R07N2E4B11BOSA1 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [1236पीसी स्टक]

  • 1 pcs$35.02826

भाग संख्या:
FP50R07N2E4B11BOSA1
निर्माता:
Infineon Technologies
विस्तृत विवरण:
IGBT MODULE VCES 600V 50A.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, डायोडहरू - जेनर - एकल, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, डायोडहरू - जेनर - एर्रे, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, and डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FP50R07N2E4B11BOSA1 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : FP50R07N2E4B11BOSA1
निर्माता : Infineon Technologies
वर्णन : IGBT MODULE VCES 600V 50A
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
IGBT प्रकार : Trench Field Stop
कन्फिगरेसन : Three Phase Inverter
भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम) : 650V
वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम) : 70A
पावर - अधिकतम : -
Vce (on) (अधिकतम) @ Vge, आईसी : 1.95V @ 15V, 50A
वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम) : 1mA
इनपुट क्यापेसिटन्स (Cies) @ Vce : 3.1nF @ 25V
इनपुट : Standard
NTC थर्मिस्टर : Yes
अपरेटिंग तापमान : -40°C ~ 150°C
माउन्टिंग प्रकार : Chassis Mount
प्याकेज / केस : Module
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : Module

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