Toshiba Semiconductor and Storage - SSM6J206FE(TE85L,F

KEY Part #: K6407501

SSM6J206FE(TE85L,F मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [460582पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.08878
  • 4,000 pcs$0.08834

भाग संख्या:
SSM6J206FE(TE85L,F
निर्माता:
Toshiba Semiconductor and Storage
विस्तृत विवरण:
MOSFET P-CH 20V 2A ES6.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू and डायोडहरू - जेनर - एकल ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SSM6J206FE(TE85L,F उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : SSM6J206FE(TE85L,F
निर्माता : Toshiba Semiconductor and Storage
वर्णन : MOSFET P-CH 20V 2A ES6
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : P-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 20V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 2A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 1.8V, 4V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 130 mOhm @ 1A, 4V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 1V @ 1mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : -
Vgs (अधिकतम) : ±8V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 335pF @ 10V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 500mW (Ta)
अपरेटिंग तापमान : 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : ES6 (1.6x1.6)
प्याकेज / केस : SOT-563, SOT-666

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