Vishay Semiconductor Diodes Division - GBU4DL-5303M3/45

KEY Part #: K6541124

[12480पीसी स्टक]


    भाग संख्या:
    GBU4DL-5303M3/45
    निर्माता:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    विस्तृत विवरण:
    BRIDGE RECT 1PHASE 200V 3A GBU.
    Manufacturer's standard lead time:
    स्टक मा
    आफ्नो जीवन:
    एक वर्ष
    बाट चिप:
    हंगकंग
    RoHS:
    भुक्तानी विधि:
    ढुवानी मार्ग:
    परिवार कोटिहरू:
    KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, डायोडहरू - जेनर - एर्रे and पावर ड्राइभर मोड्युलहरू ...
    प्रतिस्पर्धी लाभ:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division GBU4DL-5303M3/45 electronic components. GBU4DL-5303M3/45 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GBU4DL-5303M3/45, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    GBU4DL-5303M3/45 उत्पाद गुणहरू

    भाग संख्या : GBU4DL-5303M3/45
    निर्माता : Vishay Semiconductor Diodes Division
    वर्णन : BRIDGE RECT 1PHASE 200V 3A GBU
    श्रृंखला : -
    भाग स्थिति : Obsolete
    डायोड प्रकार : Single Phase
    टेक्नोलोजी : Standard
    भोल्टेज - पीक रिभर्स (अधिकतम) : 200V
    वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io) : 3A
    भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि : 1V @ 4A
    वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr : 5µA @ 200V
    अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
    माउन्टिंग प्रकार : Through Hole
    प्याकेज / केस : 4-SIP, GBU
    आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : GBU

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