2SA1955FVBTPL3Z मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [1268774पीसी स्टक]
- 1 pcs$0.02930
- 8,000 pcs$0.02915
- भाग संख्या:
- 2SA1955FVBTPL3Z
- निर्माता:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- विस्तृत विवरण:
- TRANS PNP 12V 0.4A VESM.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs and ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1955FVBTPL3Z electronic components. 2SA1955FVBTPL3Z can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 2SA1955FVBTPL3Z, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
2SA1955FVBTPL3Z उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
2SA1955FVBTPL3Z
निर्माता :
Toshiba Semiconductor and Storage
वर्णन :
TRANS PNP 12V 0.4A VESM
श्रृंखला :
-
भाग स्थिति :
Obsolete
ट्रान्जिस्टर प्रकार :
PNP
वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम) :
400mA
भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम) :
12V
Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी :
250mV @ 10mA, 200mA
वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम) :
100nA (ICBO)
DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce :
300 @ 10mA, 2V
पावर - अधिकतम :
100mW
फ्रिक्वेन्सी - संक्रमण :
130MHz
अपरेटिंग तापमान :
150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
प्याकेज / केस :
SOT-723
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
VESM
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