भाग संख्या :
SI7342DP-T1-GE3
निर्माता :
Vishay Siliconix
वर्णन :
MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
30V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
9A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
4.5V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
8.25 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
1.8V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
19nC @ 4.5V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
1900pF @ 15V
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
1.8W (Ta)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
PowerPAK® SO-8
प्याकेज / केस :
PowerPAK® SO-8