PSMN2R6-40YS,115 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [166703पीसी स्टक]
- 1 pcs$0.22188
- 1,500 pcs$0.19636
- भाग संख्या:
- PSMN2R6-40YS,115
- निर्माता:
- Nexperia USA Inc.
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, Thyristors - DIACs, SIDACs, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, डायोडहरू - जेनर - एर्रे, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF and डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Nexperia USA Inc. PSMN2R6-40YS,115 electronic components. PSMN2R6-40YS,115 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PSMN2R6-40YS,115, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
PSMN2R6-40YS,115 उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
PSMN2R6-40YS,115
निर्माता :
Nexperia USA Inc.
वर्णन :
MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK
श्रृंखला :
-
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
N-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
40V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
100A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
2.8 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
4V @ 1mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
63nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) :
±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
3776pF @ 12V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
131W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
LFPAK56, Power-SO8
प्याकेज / केस :
SC-100, SOT-669
ताजा समाचारहरू
तपाईलाई पनि चासो लाग्न सक्छ
तातो पार्ट्स
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