TPN4R712MD,L1Q मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [342569पीसी स्टक]
- 1 pcs$0.11510
- 5,000 pcs$0.11453
- भाग संख्या:
- TPN4R712MD,L1Q
- निर्माता:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON ADV.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - जेनर - एर्रे, Thyristors - SCRs, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ and ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TPN4R712MD,L1Q electronic components. TPN4R712MD,L1Q can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TPN4R712MD,L1Q, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TPN4R712MD,L1Q उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
TPN4R712MD,L1Q
निर्माता :
Toshiba Semiconductor and Storage
वर्णन :
MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON ADV
श्रृंखला :
U-MOSVI
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
P-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
20V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
36A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
2.5V, 4.5V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
4.7 mOhm @ 18A, 4.5V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
1.2V @ 1mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
65nC @ 5V
Vgs (अधिकतम) :
±12V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
4300pF @ 10V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
42W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
8-TSON Advance (3.3x3.3)
प्याकेज / केस :
8-PowerVDFN
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- IRLR3715TRLPBF
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- TSM6NB60CZ C0G
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