Texas Instruments - CSD16556Q5B

KEY Part #: K6416718

CSD16556Q5B मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [89066पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.45120
  • 2,500 pcs$0.44896

भाग संख्या:
CSD16556Q5B
निर्माता:
Texas Instruments
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , डायोडहरू - जेनर - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, डायोडहरू - आरएफ and Thyristors - SCRs ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CSD16556Q5B उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : CSD16556Q5B
निर्माता : Texas Instruments
वर्णन : MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
श्रृंखला : NexFET™
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 25V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 100A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 4.5V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 1.07 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 1.7V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 47nC @ 4.5V
Vgs (अधिकतम) : ±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 6180pF @ 15V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 3.2W (Ta), 191W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : 8-VSONP (5x6)
प्याकेज / केस : 8-PowerTDFN

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