Infineon Technologies - IRF7820TRPBF

KEY Part #: K6420074

IRF7820TRPBF मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [157735पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.23449
  • 4,000 pcs$0.22511

भाग संख्या:
IRF7820TRPBF
निर्माता:
Infineon Technologies
विस्तृत विवरण:
MOSFET N CH 200V 3.7A 8-SO.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, Thyristors - SCRs, Thyristors - DIACs, SIDACs, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू and डायोडहरू - जेनर - एर्रे ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF7820TRPBF उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : IRF7820TRPBF
निर्माता : Infineon Technologies
वर्णन : MOSFET N CH 200V 3.7A 8-SO
श्रृंखला : HEXFET®
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 200V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 3.7A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 78 mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 5V @ 100µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 44nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 1750pF @ 100V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 2.5W (Ta)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : 8-SO
प्याकेज / केस : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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