STMicroelectronics - SCTW90N65G2V

KEY Part #: K6394319

SCTW90N65G2V मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [1553पीसी स्टक]

  • 1 pcs$27.86749

भाग संख्या:
SCTW90N65G2V
निर्माता:
STMicroelectronics
विस्तृत विवरण:
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, Thyristors - TRIACs, डायोडहरू - आरएफ, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, Thyristors - DIACs, SIDACs and ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SCTW90N65G2V उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : SCTW90N65G2V
निर्माता : STMicroelectronics
वर्णन : SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : SiCFET (Silicon Carbide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 650V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 90A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 18V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 25 mOhm @ 50A, 18V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 5V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 157nC @ 18V
Vgs (अधिकतम) : +22V, -10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 3300pF @ 400V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 390W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 200°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : HiP247™
प्याकेज / केस : TO-247-3

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