GeneSiC Semiconductor - GB01SLT12-252

KEY Part #: K6447738

GB01SLT12-252 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [72594पीसी स्टक]

  • 1 pcs$1.56008
  • 10 pcs$1.39085
  • 25 pcs$1.25194
  • 100 pcs$1.08208
  • 250 pcs$0.97653
  • 500 pcs$0.87624
  • 1,000 pcs$0.73899
  • 2,500 pcs$0.70204
  • 5,000 pcs$0.67565

भाग संख्या:
GB01SLT12-252
निर्माता:
GeneSiC Semiconductor
विस्तृत विवरण:
DIODE SILICON 1.2KV 1A TO252.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: Thyristors - DIACs, SIDACs, डायोडहरू - जेनर - एर्रे, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction and डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GB01SLT12-252 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : GB01SLT12-252
निर्माता : GeneSiC Semiconductor
वर्णन : DIODE SILICON 1.2KV 1A TO252
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
डायोड प्रकार : Silicon Carbide Schottky
भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) : 1200V
वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io) : 1A
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि : 1.8V @ 1A
गति : No Recovery Time > 500mA (Io)
उल्टो रिकभरी समय (trr) : 0ns
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr : 2µA @ 1200V
Capacitance @ Vr, F : 69pF @ 1V, 1MHz
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : TO-252
अपरेटिंग टेम्परेचर - जंक्शन : -55°C ~ 175°C
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