IPP076N12N3GXKSA1 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [30069पीसी स्टक]
- 1 pcs$1.37058
- भाग संख्या:
- IPP076N12N3GXKSA1
- निर्माता:
- Infineon Technologies
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET N-CH 120V 100A TO220-3.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: Thyristors - TRIACs, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल and डायोडहरू - जेनर - एर्रे ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Infineon Technologies IPP076N12N3GXKSA1 electronic components. IPP076N12N3GXKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPP076N12N3GXKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPP076N12N3GXKSA1 उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
IPP076N12N3GXKSA1
निर्माता :
Infineon Technologies
वर्णन :
MOSFET N-CH 120V 100A TO220-3
श्रृंखला :
OptiMOS™
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
N-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
120V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
100A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
7.6 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
4V @ 130µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
101nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) :
±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
6640pF @ 60V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
188W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
PG-TO220-3
प्याकेज / केस :
TO-220-3
ताजा समाचारहरू
तपाईलाई पनि चासो लाग्न सक्छ
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