Texas Instruments - CSD19537Q3T

KEY Part #: K6416120

CSD19537Q3T मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [111531पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.33163
  • 250 pcs$0.31640
  • 1,250 pcs$0.21594

भाग संख्या:
CSD19537Q3T
निर्माता:
Texas Instruments
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, डायोडहरू - जेनर - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, Thyristors - SCRs and ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CSD19537Q3T उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : CSD19537Q3T
निर्माता : Texas Instruments
वर्णन : MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON
श्रृंखला : NexFET™
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 100V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 50A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 6V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 14.5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 3.6V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 21nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 1680pF @ 50V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 2.8W (Ta), 83W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : 8-VSON (3.3x3.3)
प्याकेज / केस : 8-PowerVDFN

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