Nexperia USA Inc. - PMZB600UNELYL

KEY Part #: K6421628

PMZB600UNELYL मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [1163201पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.03180
  • 10,000 pcs$0.02784

भाग संख्या:
PMZB600UNELYL
निर्माता:
Nexperia USA Inc.
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 20V 600MA 3DFN1006B.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, डायोडहरू - जेनर - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, Thyristors - DIACs, SIDACs, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या and पावर ड्राइभर मोड्युलहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PMZB600UNELYL उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : PMZB600UNELYL
निर्माता : Nexperia USA Inc.
वर्णन : MOSFET N-CH 20V 600MA 3DFN1006B
श्रृंखला : TrenchMOS™
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 20V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 600mA (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 1.2V, 4.5V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 620 mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 950mV @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 0.7nC @ 4.5V
Vgs (अधिकतम) : ±8V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 21.3pF @ 10V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 360mW (Ta)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : DFN1006B-3
प्याकेज / केस : 3-XFDFN

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