Vishay Semiconductor Diodes Division - UGB8JCT-E3/81

KEY Part #: K6477160

UGB8JCT-E3/81 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [5518पीसी स्टक]

  • 1,600 pcs$0.27950

भाग संख्या:
UGB8JCT-E3/81
निर्माता:
Vishay Semiconductor Diodes Division
विस्तृत विवरण:
DIODE ARRAY GP 600V 4A TO263AB.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, Thyristors - DIACs, SIDACs, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू and डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division UGB8JCT-E3/81 electronic components. UGB8JCT-E3/81 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for UGB8JCT-E3/81, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

UGB8JCT-E3/81 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : UGB8JCT-E3/81
निर्माता : Vishay Semiconductor Diodes Division
वर्णन : DIODE ARRAY GP 600V 4A TO263AB
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Obsolete
डायोड कन्फिगरेसन : 1 Pair Common Cathode
डायोड प्रकार : Standard
भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) : 600V
वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड) : 4A
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि : 1.75V @ 4A
गति : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
उल्टो रिकभरी समय (trr) : 50ns
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr : 30µA @ 600V
अपरेटिंग टेम्परेचर - जंक्शन : -55°C ~ 150°C
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : TO-263AB

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