ON Semiconductor - MUN5130DW1T1G

KEY Part #: K6530228

[257815पीसी स्टक]


    भाग संख्या:
    MUN5130DW1T1G
    निर्माता:
    ON Semiconductor
    विस्तृत विवरण:
    TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363.
    Manufacturer's standard lead time:
    स्टक मा
    आफ्नो जीवन:
    एक वर्ष
    बाट चिप:
    हंगकंग
    RoHS:
    भुक्तानी विधि:
    ढुवानी मार्ग:
    परिवार कोटिहरू:
    KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, डायोडहरू - जेनर - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction and ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प ...
    प्रतिस्पर्धी लाभ:
    We specialize in ON Semiconductor MUN5130DW1T1G electronic components. MUN5130DW1T1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MUN5130DW1T1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    MUN5130DW1T1G उत्पाद गुणहरू

    भाग संख्या : MUN5130DW1T1G
    निर्माता : ON Semiconductor
    वर्णन : TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
    श्रृंखला : -
    भाग स्थिति : Obsolete
    ट्रान्जिस्टर प्रकार : 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
    वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम) : 100mA
    भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम) : 50V
    प्रतिरोधक - बेस (R1) : 1 kOhms
    प्रतिरोधक - इमिटर बेस (R2) : 1 kOhms
    DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce : 3 @ 5mA, 10V
    Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी : 250mV @ 5mA, 10mA
    वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम) : 500nA
    फ्रिक्वेन्सी - संक्रमण : -
    पावर - अधिकतम : 250mW
    माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
    प्याकेज / केस : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : SC-88/SC70-6/SOT-363

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