IPC302N12N3X1SA1 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [29358पीसी स्टक]
- 1 pcs$2.71030
- भाग संख्या:
- IPC302N12N3X1SA1
- निर्माता:
- Infineon Technologies
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET N-CH 120V 1A SAWN ON FOIL.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, and ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Infineon Technologies IPC302N12N3X1SA1 electronic components. IPC302N12N3X1SA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPC302N12N3X1SA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPC302N12N3X1SA1 उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
IPC302N12N3X1SA1
निर्माता :
Infineon Technologies
वर्णन :
MOSFET N-CH 120V 1A SAWN ON FOIL
श्रृंखला :
OptiMOS™
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
N-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
120V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
1A (Tj)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
100 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
4V @ 275µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
-
Vgs (अधिकतम) :
-
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
-
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
-
अपरेटिंग तापमान :
-
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
Sawn on foil
प्याकेज / केस :
Die
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