ON Semiconductor - RHRD660S9A

KEY Part #: K6452560

RHRD660S9A मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [187337पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.19842
  • 2,500 pcs$0.19744
  • 5,000 pcs$0.18804

भाग संख्या:
RHRD660S9A
निर्माता:
ON Semiconductor
विस्तृत विवरण:
DIODE GEN PURP 600V 6A TO252-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching 6A 600V HyperFast Diode
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, Thyristors - DIACs, SIDACs, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, and डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RHRD660S9A उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : RHRD660S9A
निर्माता : ON Semiconductor
वर्णन : DIODE GEN PURP 600V 6A TO252-3
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
डायोड प्रकार : Standard
भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) : 600V
वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io) : 6A
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि : 2.1V @ 6A
गति : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
उल्टो रिकभरी समय (trr) : 35ns
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr : 100µA @ 600V
Capacitance @ Vr, F : -
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : TO-252AA
अपरेटिंग टेम्परेचर - जंक्शन : -55°C ~ 175°C

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