भाग संख्या :
UPA2822T1L-E1-AT
निर्माता :
Renesas Electronics America
वर्णन :
MOSFET N-CH 30V 34A 8HVSON
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
30V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
34A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
4.5V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
2.6 mOhm @ 34A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
-
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
83nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
4660pF @ 10V
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
1.5W (Ta)
अपरेटिंग तापमान :
150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
8-HWSON (3.3x3.3)
प्याकेज / केस :
8-PowerWDFN