Vishay Semiconductor Diodes Division - GB35XF120K

KEY Part #: K6534386

[518पीसी स्टक]


    भाग संख्या:
    GB35XF120K
    निर्माता:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    विस्तृत विवरण:
    MODULE IGBT 1200V 35A ECONO2 6PK.
    Manufacturer's standard lead time:
    स्टक मा
    आफ्नो जीवन:
    एक वर्ष
    बाट चिप:
    हंगकंग
    RoHS:
    भुक्तानी विधि:
    ढुवानी मार्ग:
    परिवार कोटिहरू:
    KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, Thyristors - DIACs, SIDACs, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, डायोडहरू - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू and डायोडहरू - जेनर - एकल ...
    प्रतिस्पर्धी लाभ:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division GB35XF120K electronic components. GB35XF120K can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GB35XF120K, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    GB35XF120K उत्पाद गुणहरू

    भाग संख्या : GB35XF120K
    निर्माता : Vishay Semiconductor Diodes Division
    वर्णन : MODULE IGBT 1200V 35A ECONO2 6PK
    श्रृंखला : -
    भाग स्थिति : Obsolete
    IGBT प्रकार : NPT
    कन्फिगरेसन : Three Phase Inverter
    भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम) : 1200V
    वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम) : 50A
    पावर - अधिकतम : 284W
    Vce (on) (अधिकतम) @ Vge, आईसी : 3V @ 15V, 50A
    वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम) : 100µA
    इनपुट क्यापेसिटन्स (Cies) @ Vce : 3.475nF @ 30V
    इनपुट : Standard
    NTC थर्मिस्टर : No
    अपरेटिंग तापमान : 150°C (TJ)
    माउन्टिंग प्रकार : Chassis Mount
    प्याकेज / केस : ECONO2
    आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : -

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