Vishay Siliconix - SI6415DQ-T1-GE3

KEY Part #: K6393694

SI6415DQ-T1-GE3 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [113709पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.32528
  • 3,000 pcs$0.28444

भाग संख्या:
SI6415DQ-T1-GE3
निर्माता:
Vishay Siliconix
विस्तृत विवरण:
MOSFET P-CH 30V 6.5A 8-TSSOP.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, Thyristors - SCRs, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF and ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
We specialize in Vishay Siliconix SI6415DQ-T1-GE3 electronic components. SI6415DQ-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI6415DQ-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI6415DQ-T1-GE3 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : SI6415DQ-T1-GE3
निर्माता : Vishay Siliconix
वर्णन : MOSFET P-CH 30V 6.5A 8-TSSOP
श्रृंखला : TrenchFET®
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : P-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 30V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : -
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 4.5V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 19 mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 1V @ 250µA (Min)
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 70nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : -
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 1.5W (Ta)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : 8-TSSOP
प्याकेज / केस : 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

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