Texas Instruments - CSD25484F4T

KEY Part #: K6419825

CSD25484F4T मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [428368पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.09023
  • 250 pcs$0.08978
  • 1,250 pcs$0.04208

भाग संख्या:
CSD25484F4T
निर्माता:
Texas Instruments
विस्तृत विवरण:
MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: Thyristors - DIACs, SIDACs, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, डायोडहरू - जेनर - एकल and ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CSD25484F4T उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : CSD25484F4T
निर्माता : Texas Instruments
वर्णन : MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR
श्रृंखला : FemtoFET™
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : P-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 20V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 2.5A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 1.8V, 8V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 94 mOhm @ 500mA, 8V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 1.2V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 1.42nC @ 4.5V
Vgs (अधिकतम) : -12V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 230pF @ 10V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 500mW (Ta)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : 3-PICOSTAR
प्याकेज / केस : 3-XFDFN

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