Vishay Semiconductor Diodes Division - VB20120SG-E3/8W

KEY Part #: K6437240

VB20120SG-E3/8W मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [100771पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.38801
  • 800 pcs$0.34378

भाग संख्या:
VB20120SG-E3/8W
निर्माता:
Vishay Semiconductor Diodes Division
विस्तृत विवरण:
DIODE SCHOTTKY 120V 20A TO263AB. Schottky Diodes & Rectifiers 20 Amp 120 Volt Single TrenchMOS
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF and ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VB20120SG-E3/8W उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : VB20120SG-E3/8W
निर्माता : Vishay Semiconductor Diodes Division
वर्णन : DIODE SCHOTTKY 120V 20A TO263AB
श्रृंखला : TMBS®
भाग स्थिति : Active
डायोड प्रकार : Schottky
भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) : 120V
वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io) : 20A
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि : 1.33V @ 20A
गति : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
उल्टो रिकभरी समय (trr) : -
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr : 250µA @ 120V
Capacitance @ Vr, F : -
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : TO-263AB
अपरेटिंग टेम्परेचर - जंक्शन : -40°C ~ 150°C

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